以太网芯片的工作电压因型号、厂家及应用场景的不同而有所差异。常见的以太网芯片工作电压范围主要包括核心电压（Core Voltage）、输入/输出电压（I/O Voltage）和供电电压（Supply Voltage），这些电压决定了芯片的正常运行和通信能力。

1. 以太网芯片常见电压范围

不同的以太网芯片可能采用不同的供电方案，以下是常见的工作电压范围：

• 核心电压（Core Voltage）：1.0V~1.2V
• 以太网芯片内部核心电路，如MAC（Media Access Control，媒体访问控制层）和PHY（Physical Layer，物理层）部分通常工作在低电压下，以降低功耗并提高效率。
• I/O 电压（I/O Voltage）：1.8V、2.5V、3.3V
• 以太网芯片的I/O接口，如MII（Media Independent Interface，媒体无关接口）、RMII（Reduced Media Independent Interface，简化媒体无关接口）等，需要与外部MCU、FPGA或交换芯片兼容，因此支持多个电压等级。
• 供电电压（Supply Voltage）：3.3V、5V
• 一些以太网芯片，如集成PHY的产品，通常由3.3V或5V供电。

2. 常见以太网芯片的电压规格

不同厂商的以太网芯片设计不同，例如：

• Realtek（瑞昱）
• RTL8211（千兆以太网PHY）：核心电压1.0V，I/O电压2.5V或3.3V，供电电压3.3V
• RTL8105E（百兆以太网PHY）：核心电压1.0V，I/O电压3.3V，供电电压3.3V
• Microchip（微芯）
• LAN8720A（RMII 10/100Mbps PHY）：核心电压1.2V，I/O电压1.8V/2.5V/3.3V，供电电压3.3V
• KSZ9031（千兆以太网PHY）：核心电压1.0V，I/O电压1.8V/2.5V/3.3V，供电电压3.3V
• Broadcom（博通）
• BCM54616S（千兆PHY）：核心电压1.0V，I/O电压1.8V/2.5V，供电电压3.3V

3. 不同速率以太网芯片的电压差异

以太网芯片的电压随速率提高可能会有所变化：

• 10/100Mbps 以太网芯片
• 这类芯片通常采用1.2V 核心电压，I/O电压支持1.8V/2.5V/3.3V，供电电压通常为3.3V。
• 千兆（1Gbps）以太网芯片
• 核心电压降低至1.0V~1.1V，I/O电压通常支持1.8V/2.5V，供电电压依然是3.3V。
• 2.5G/5G/10G 以太网芯片
• 由于速率更高，功耗增加，核心电压可能更低（0.9V~1.0V），I/O电压通常保持1.8V/2.5V，供电电压可能为3.3V或1.8V，部分高速芯片甚至需要额外的电源轨，如0.75V供电。

4. 以太网芯片电压选择的影响

(1) 低电压设计降低功耗

随着制程工艺的进步，以太网芯片的核心电压逐渐降低，例如从传统的1.2V降至1.0V甚至0.9V，以降低功耗，减少热量，并提高稳定性。

(2) I/O电压的兼容性

许多以太网芯片支持不同的I/O电压（如1.8V、2.5V、3.3V），以确保与不同的主控芯片（如MCU、FPGA或交换芯片）兼容。例如，一些FPGA可能仅支持1.8V I/O电平，因此选择支持1.8V I/O的以太网芯片可以避免电平转换电路的使用。

(3) 高速以太网芯片的供电需求

对于2.5G/5G/10G以太网，因其高数据速率，信号完整性要求更高，因此供电设计更为复杂，可能需要多个供电轨（如0.75V、1.0V、1.8V、3.3V等），以优化功耗和性能。

5. 以太网芯片的电源设计注意事项

电源滤波和去耦

• 低压供电的以太网芯片对电源噪声较为敏感，应在PCB设计时添加适当的去耦电容，如0.1µF、1µF、10µF等不同容值的电容以提高电源稳定性。

稳压电源选择

• 对于1.0V或1.2V核心电压，可采用LDO（低压差线性稳压器）或DC-DC降压转换器供电，确保低噪声、稳定的电源输出。

散热管理

• 高速以太网芯片（如10G PHY）功耗较大，可能需要散热片或强制风冷，确保稳定工作。

6. 总结

以太网芯片的电压因速率、厂商及应用不同而有所变化。一般而言：

• 核心电压 通常在1.0V~1.2V（高速芯片可能更低）。
• I/O 电压 可能是1.8V、2.5V或3.3V，确保与外部设备兼容。
• 供电电压 多数芯片采用3.3V，部分高端芯片可能使用1.8V或更低。

在选择以太网芯片时，需要综合考虑电压兼容性、功耗、散热及信号完整性，合理进行供电设计，以确保系统的稳定性和可靠性。