旺宏电子是全球非挥发性存储器整合元件领导厂商，在技术方面具有以下优势：

1. 先进的制程工艺：不断改进和优化制程技术，例如其内部开发的96层3D NAND闪存已开始量产，并且预计在2023年底进一步完成192层3D NAND Flash产品开发。还于2023年1月开始量产45纳米3V序列式快闪存储器系列产品。其1.2V的SPI NOR快闪存储器采用了新制程，在维持高效能的同时降低了耗电，适应了智能医疗与穿戴式装置等对超低功率消耗的需求。
2. 高性能的存储产品：提供多种规格和密度的NOR型快闪存储器，是全球少数能够提供从512Kbit至2Gbit完整Serial NOR Flash系列产品的公司，并拥有极小尺寸的Flash产品，可满足便携式电子产品轻薄短小化的趋势。在ROM只读存储器方面，已开始量产32纳米XtraROM®产品。其NAND型闪存系列产品的19纳米产品已问世，同时推出的e•MMC™方案可满足高阶嵌入式市场对高质量及高可靠性的应用需求。
3. 低功耗设计：例如MX25S系列1.2V串行型NOR快闪存储器，相较于标准串行型NOR快闪存储器可节省超过60%的电力消耗，Deep Power Down电流可降到0.007μA的超级省电模式，从Deep Power Down模式唤醒只需35μS，正常运行时主动电流最低可至1.65mA。
4. 大量优质专利：重视创新研发，长期致力于开发自有技术及产品，拥有全球优质专利逾5560项。2011年美国权威调研咨询机构专利委员会评比全球240家半导体企业，旺宏电子的专利实力排名全球十八，在善用科学建置专利的科学实力方面更排名全球十一。其历年发表的技术论文持续入选IEDM及ISSCC等多项国际学术会议。
5. 技术合作与联盟：拥有大量国际关键技术及专利等知识产权，并与全球高科技业界领导厂商成立技术合作联盟，共同进行相变化内存先驱技术的研究；还领先发表全球首篇Flash前瞻技术之BE-SONOS™论文，为提供次世代非挥发性内存解决方案奠定基础。
6. 系统级封装支持：提供良裸晶粒（Known Good Die，KGD）产品，以供系统级封装的需求。
7. 满足高容量和高可靠性需求：如 Macronix推出的一系列e•MMC™存储器，通过将闪存设计和管理方面的经验与先进的内部NAND闪存制造技术相结合，该内存优化了内存映射、坏块管理、耗损均衡和纠错技术等，采用BGA封装，适用于多种应用，如数字电视、机顶盒、信息娱乐、工业、网络及可穿戴应用等。具备JEDEC e•MMC™5.1标准接口，支持多种模式和功能，工作电压范围较宽，并提供不同容量选择。